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电子元器件详细资料 » IC[20521] » IXTY1R6N100D2
型号:IXTY1R6N100D2类别:FET - 单制造商:IXYS
封装:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63描述:MOSFET N-CH 1000V 1.6A DPAK

详细参数

类别FET - 单
描述MOSFET N-CH 1000V 1.6A DPAK
系列-
制造商IXYS
FET型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点耗尽模式
漏极至源极电压(Vdss)1000V(1kV)
电流_连续漏极(Id)0a025000C1.6A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C10 欧姆 @ 800mA,0V
Id时的Vgs(th)111最大222-
闸电荷(Qg)0a0Vgs27nC @ 5V
输入电容(Ciss)0a0Vds645pF @ 25V
功率_最大100W
安装类型表面贴装
封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商设备封装TO-252,(D-Pak)
包装管件

供应商

上海德懿电子科技有限公司杨小姐 蔡小姐 张小姐021-39196661/39196662/39196663
昆山隆诚翔电子有限公司曾小姐0512-82613006
深圳市科恒伟业电子有限公司李小姐086-0755-82569753-32922817-36561078-801
深圳市正信鑫科技有限公司小邹0755-22655674/15099917285
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IXTY1R6N100D2相关型号

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